[2024 OPEN ACCESS]
Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering
2024 Appl. Phys. Express 17 011002

iopscience.iop.org/article/10.3...

#APEX
#OpenAccess
#Physics
#epitaxial
#GaN
#sputtering
#ScAlN

[2025 OPEN ACCESS]
ScAlN/GaN-on-Si (111) HEMTs for RF applications
2025 Appl. Phys. Express 18 046501

iopscience.iop.org/article/10.3...

#APEX
#OpenAccess
#Physics
#ScAlN
#GaN
#Silicon
#MBE
#HEMTs

[Open Access]
Theoretical study on structural stability and miscibility of ScAlN alloys: effect of lattice constraint
2025 Jpn. J. Appl. Phys. 64 01SP03

iopscience.iop.org/article/10.3...

#JJAP
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#calculation

Successful Fabrication of High-Quality ScAlN Films Using Sputtering Method Revealed Impact of Growth Temperature Research at Tokyo University of Science has successfully produced high-quality ScAlN films using a versatile sputtering method, enhancing electronic properties.

Successful Fabrication of High-Quality ScAlN Films Using Sputtering Method Revealed Impact of Growth Temperature #Japan #Tokyo #Tokyo_University #ScAlN #Sputtering

スパッタ法による高品質ScAlN薄膜作製とその可能性 東京理科大学の研究チームが、スパッタ法を用いて窒化スカンジウムアルミニウム薄膜を高品質に作製しました。750℃で得られた薄膜は電気特性が大幅に向上し、次世代エレクトロニクス材料の可能性が期待されます。

スパッタ法による高品質ScAlN薄膜作製とその可能性 #東京理科大学 #ScAlN #スパッタ法

東京理科大学の研究チームが、スパッタ法を用いて窒化スカンジウムアルミニウム薄膜を高品質に作製しました。750℃で得られた薄膜は電気特性が大幅に向上し、次世代エレクトロニクス材料の可能性が期待されます。

[2024 OPEN ACCESS]
Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering
2024 Appl. Phys. Express 17 011002

iopscience.iop.org/article/10.3...

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